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TK12A50D5 PDF预览

TK12A50D5

更新时间： 2024-11-18 21:12:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 246K
描述
TRANSISTOR 12 A, 500 V, 0.73 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, 2-10U1S, SC-67, TO-220SIS, 3 PIN, FET General Purpose Power

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TK12A50D5 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.67
雪崩能效等级（Eas）：364 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.73 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TK12A50D5 数据手册

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TK12A50D5  
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (π-MOS)  
TK12A50D5  
1. Applications  
•
Switching Voltage Regulators  
2. Features  
(1) Fast reverse recovery time: trrf = 50 ns (typ.), trr = 120 ns (typ.)  
(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.5 Ω (typ.)  
(3) High forward transfer admittance: |Yfs| = 9.0 S (typ.)  
(4) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 500 V)  
(5) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
TO-220SIS  
4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25unless otherwise specified)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
Drain current (pulsed)  
Power dissipation  
VDSS  
VGSS  
ID  
500  
±30  
(Note 1)  
(Note 1)  
12  
A
(t = 1 ms)  
IDP  
48  
(Tc = 25)  
PD  
45  
W
mJ  
A
Single-pulse avalanche energy  
Avalanche current  
(Note 2)  
(Note 3)  
EAS  
IAR  
364  
12  
Repetitive avalanche energy  
Channel temperature  
EAR  
Tch  
4.5  
mJ  
150  
Storage temperature  
Tstg  
-55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
2010-12-01  
Rev.1.0  
1
1234567...9

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