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TK12A50W

更新时间： 2024-11-07 10:27:35

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东芝 - TOSHIBA		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	238K
描述
Power MOSFET Nch (Single)

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TK12A50W 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	11.5 A	最大漏源导通电阻：	0.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	46 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TK12A50W 数据手册

TK12A50W

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)

TK12A50W

1. Applications

•

Switching Voltage Regulators

2. Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.265 Ω (typ.)

by used to Super Junction Structure : DTMOS

(2) Easy to control Gate switching

(3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 0.6 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1: Gate

2: Drain

3: Source

TO-220SIS

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

500

±30

(Note 1)

11.5

IDP

(Tc = 25)

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

(Note 2)

EAS

180

IAR

3.0

Reverse drain current (DC)

Reverse drain current (pulsed)

Channel temperature

(Note 1)

IDR

11.5

IDRP

Tch

150



Storage temperature

Tstg

-55 to 150

2000

0.6

Isolation voltage (RMS)

Mounting torque

(t = 1.0 s)

VISO(RMS)

TOR

Nm

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Start of commercial production

2015-05

2015-03-30

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...10

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