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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | XDFN2, 2 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | Factory Lead Time： | 4 weeks |
| 风险等级： | 1.72 | 其他特性： | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW CAPACITANCE |
| 最大击穿电压： | 14 V | 最小击穿电压： | 10.5 V |
| 击穿电压标称值： | 10.5 V | 最大钳位电压： | 38.1 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | R-PBCC-N2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.3 W | 参考标准： | AEC-Q101; IEC-61000-4-2 |
| 最大重复峰值反向电压： | 16 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Nickel/Gold/Palladium (Ni/Au/Pd) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SZESD7424MUT5G | ONSEMI |
获取价格 |
30kV Capable Ultra-Low Capacitance 24V ESD Protection |
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| SZESD7451N2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
Transient Voltage Suppressors low cap ESD protection in SOD-882, 8000-REEL |
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| SZESD7462MXWT5G | ONSEMI |
获取价格 |
超低电容 ESD 防护 |
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| SZESD7462N2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
超低电容 ESD 防护 |
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| SZESD7481MUT5G | ONSEMI |
获取价格 |
ESD 保护二极管，低电容，双向 |
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| SZESD7551 | ONSEMI |
获取价格 |
ESD Protection Diodes |
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| SZESD7551MXWT5G | ONSEMI |
获取价格 |
ESD 保护，微型封装二极管 |
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| SZESD7551N2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
ESD Protection Diodes |
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| SZESD7561N2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
Micro−Packaged Diodes for ESD Protection |
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| SZESD7571MXWT5G | ONSEMI |
获取价格 |
微型封装二极管，用于 ESD 防护 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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