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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PBCC-N2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | Factory Lead Time： | 5 weeks |
| 风险等级： | 1.54 | 其他特性： | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, ULTRA LOW CAPACITANCE |
| 击穿电压标称值： | 6 V | 最大钳位电压： | 12 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | R-PBCC-N2 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 参考标准： | IEC-61000-4-2, 4-5 |
| 最大重复峰值反向电压： | 3.3 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SZESD7551 | ONSEMI |
获取价格 |
ESD Protection Diodes |
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| SZESD7551MXWT5G | ONSEMI |
获取价格 |
ESD 保护，微型封装二极管 |
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| SZESD7551N2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
ESD Protection Diodes |
|
| SZESD7561N2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
Micro−Packaged Diodes for ESD Protection |
|
| SZESD7571MXWT5G | ONSEMI |
获取价格 |
微型封装二极管，用于 ESD 防护 |
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| SZESD7571N2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
微型封装二极管，用于 ESD 防护 |
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| SZESD7951ST5G | ONSEMI |
获取价格 |
ESD Protection Diode, Low Leakage, Fast Response Time, with Clamping Capability |
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| SZESD7C3.3DT5G | ONSEMI |
获取价格 |
ESD 保护二极管，SOT-723 |
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| SZESD7C5.0DT5G | ONSEMI |
获取价格 |
ESD 保护二极管，SOT-723 |
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| SZESD8004MUTAG | ONSEMI |
获取价格 |
ESD 保护阵列，USB 3.0 |
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