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SZESD8008MUTAG

更新时间： 2024-11-17 11:01:35
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安森美 - ONSEMI /
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9页 198K
描述
ESD 保护阵列，一对一 HS

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SZESD8008MUTAG 数据手册

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ESD8008  
ESD Protection Diode  
Low Capacitance Array for High Speed  
Data Lines  
The ESD8008 is designed specifically to protect four high speed  
differential pairs. Ultra−low capacitance and low ESD clamping  
voltage make this device an ideal solution for protecting voltage  
sensitive high speed data lines. The flow−through style package  
allows for easy PCB layout and matched trace lengths necessary to  
maintain consistent impedance for the high speed lines.  
www.onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAM  
14  
1
8008M  
UDFN14  
CASE 517CN  
G
Features  
• Integrated 4 Pairs (8 Lines) High Speed Data  
• Single Connect, Flow through Routing  
• Low Capacitance (0.35 pF Max, I/O to GND)  
8008  
M
= Specific Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
G
• Protection for the Following IEC Standards:  
IEC 61000−4−2 Level 4 (ESD) 15 kV (Contact)  
IEC 61000−4−5 (Lightning) 5 A (8/20 ms)  
• UL Flammability Rating of 94 V−0  
ORDERING INFORMATION  
• SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
Device  
ESD8008MUTAG  
Package  
Shipping  
UDFN14  
(Pb−Free)  
3000 / Tape &  
Reel  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
SZESD8008MUTAG UDFN14  
3000 / Tape &  
Reel  
(Pb−Free)  
Typical Applications  
• V−by−One HS  
• LVDS  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
• Display Port  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
−55 to +125  
−55 to +150  
260  
Unit  
°C  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
J
T
stg  
°C  
Lead Solder Temperature −  
Maximum (10 Seconds)  
T
L
°C  
IEC 61000−4−2 Contact (ESD)  
IEC 61000−4−2 Air (ESD)  
ESD  
ESD  
15  
15  
kV  
kV  
Maximum Peak Pulse Current  
I
PP  
5.0  
A
8/20 ms @ T = 25°C (I/O−GND)  
A
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
See Application Note AND8308/D for further description of  
survivability specs.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
February, 2015 − Rev. 4  
ESD8008/D  
1234567...9

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