是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-F2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
Factory Lead Time: | 13 weeks | 风险等级: | 1.59 |
其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY | 最小击穿电压: | 5 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-F2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.15 W |
参考标准: | AEC-Q101; IEC-61000-4-2 | 最大重复峰值反向电压: | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SZESD9X5.0ST5G | ONSEMI |
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ESD Protection Diode | |
SZESD9X7.0ST5G | ONSEMI |
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DIODE TVS DIODE, Transient Suppressor | |
SZESDL2012MX2WT5G | ONSEMI |
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Extremely Low Voltage, Bidirectional ESD Protection Device in 0201 form factor featuring u | |
SZESDM3551MXT5G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管,CC及 SBU保护 (5.5 V – USB 3.x),21 pF | |
SZESDM3551N2T5G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管,CC及 SBU保护 (5.5 V – USB 3.x),21 pF | |
SZESDR0502BT1G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管,低漏,快速响应时间,带箝位功能 | |
SZF-01T-P0.7 | ETC |
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Disconnectable Crimp style Wire-to-wire connectors | |
SZF-01T-P0.7 | JST |
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*箱型端子适用广泛,插座端子在低电压、低电流条件下提供信号电路*塑壳锁扣方式*两重固定器* | |
SZF2002 | NXP |
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Low voltage 8-bit microcontroller with 6-kbyte embedded RAM | |
SZF2002HL | NXP |
获取价格 |
Low voltage 8-bit microcontroller with 6-kbyte embedded RAM |