是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-F2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.78 | 其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY |
最小击穿电压: | 7.5 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.15 W | 参考标准: | AEC-Q101; IEC-61000-4-2 |
最大重复峰值反向电压: | 7 V | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SZESDL2012MX2WT5G | ONSEMI |
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Extremely Low Voltage, Bidirectional ESD Protection Device in 0201 form factor featuring u |
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SZESDM3551MXT5G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管,CC及 SBU保护 (5.5 V – USB 3.x),21 pF |
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SZESDM3551N2T5G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管,CC及 SBU保护 (5.5 V – USB 3.x),21 pF |
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SZESDR0502BT1G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管,低漏,快速响应时间,带箝位功能 |
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SZF-01T-P0.7 | ETC |
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Disconnectable Crimp style Wire-to-wire connectors |
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SZF-01T-P0.7 | JST |
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*箱型端子适用广泛,插座端子在低电压、低电流条件下提供信号电路*塑壳锁扣方式*两重固定器* |
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SZF2002 | NXP |
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Low voltage 8-bit microcontroller with 6-kbyte embedded RAM |
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SZF2002HL | NXP |
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Low voltage 8-bit microcontroller with 6-kbyte embedded RAM |
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SZF-41T-P0.7 | ETC |
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Disconnectable Crimp style Wire-to-wire connectors |
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SZF-41T-P0.7 | JST |
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*箱型端子适用广泛,插座端子在低电压、低电流条件下提供信号电路*塑壳锁扣方式*两重固定器* |
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