是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-F2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.77 |
其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW CAPACITANCE | 最小击穿电压: | 11 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-F2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.15 W | 参考标准: | AEC-Q101, IEC-61000-4-2 |
最大重复峰值反向电压: | 5 V | 最大反向电流: | 0.5 µA |
反向测试电压: | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SZESD9L3.3ST5G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管,超低电容,单向 | |
SZESD9M5.0ST5G | ONSEMI |
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Low Capacitance ESD Protection; Unidirectional | |
SZESD9R3.3ST5G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管,超低泄漏,低电容 | |
SZESD9X12ST5G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管 | |
SZESD9X3.3ST5G | ONSEMI |
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Transient Voltage Suppressors | |
SZESD9X5.0ST5G | ONSEMI |
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ESD Protection Diode | |
SZESD9X7.0ST5G | ONSEMI |
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DIODE TVS DIODE, Transient Suppressor | |
SZESDL2012MX2WT5G | ONSEMI |
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Extremely Low Voltage, Bidirectional ESD Protection Device in 0201 form factor featuring u | |
SZESDM3551MXT5G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管,CC及 SBU保护 (5.5 V – USB 3.x),21 pF | |
SZESDM3551N2T5G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管,CC及 SBU保护 (5.5 V – USB 3.x),21 pF |