是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PBCC-N2 | Reach Compliance Code: | compliant |
Factory Lead Time: | 5 weeks | 风险等级: | 5.77 |
其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW CAPACITANCE | 最大击穿电压: | 12 V |
最小击穿电压: | 7 V | 击穿电压标称值: | 7 V |
最大钳位电压: | 20 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | R-PBCC-N2 | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | BIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.3 W | 参考标准: | AEC-Q101; IEC-61000-4-2 |
最大重复峰值反向电压: | 5.3 V | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SZESD8551MXWT5G | ONSEMI |
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低电容 ESD 保护二极管,用于高速数据线 |
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SZESD8551N2T5G | ONSEMI |
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低电容 ESD 保护二极管,用于高速数据线 |
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SZESD8704MTWTAG | ONSEMI |
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高速数据线保护,单向 (3.3 V – USB 3.x) |
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SZESD8704MUTAG | ONSEMI |
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高速数据线保护,单向 (3.3 V – USB 3.x) |
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SZESD9101P2T5G | ONSEMI |
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超低电容 ESD 保护二极管,用于高速数据线 |
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SZESD9901MX2WT5G | ONSEMI |
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ESD Protection - In-Vehicle NetworksAutomotiv |
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SZESD9902MLT1G | ONSEMI |
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ESD Protection - In-Vehicle NetworksAutomotiv |
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SZESD9B | ONSEMI |
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Transient Voltage Suppressors |
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SZESD9B3.3ST5G | ONSEMI |
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ESD Protection Diodes, Bidirectional |
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SZESD9B5.0ST5G | ONSEMI |
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Transient Voltage Suppressors |
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