是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | R-PDSO-F3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.83 | 最小击穿电压: | 5 V |
配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-F3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.24 W |
认证状态: | COMMERCIAL | 最大重复峰值反向电压: | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SZESD7C5.0DT5G | ONSEMI |
获取价格 |
ESD 保护二极管,SOT-723 |
![]() |
SZESD8004MUTAG | ONSEMI |
获取价格 |
ESD 保护阵列,USB 3.0 |
![]() |
SZESD8006MUTAG | ONSEMI |
获取价格 |
Low Capacitance ESD Protection Diode Array, Thunderbolt |
![]() |
SZESD8008MUTAG | ONSEMI |
获取价格 |
ESD 保护阵列,一对一 HS |
![]() |
SZESD8104MUTAG | ONSEMI |
获取价格 |
USB3.0 ESD Protection Array |
![]() |
SZESD8351HT1G | ONSEMI |
获取价格 |
ESD8118MUTAG |
![]() |
SZESD8351MUT5G | ONSEMI |
获取价格 |
ESD8118MUTAG |
![]() |
SZESD8351P2 | ONSEMI |
获取价格 |
ESD Protection Diodes |
![]() |
SZESD8351P2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
ESD8118MUTAG |
![]() |
SZESD8351XV2T1G | ONSEMI |
获取价格 |
ESD8118MUTAG |
![]() |