是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | XDFN-2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | Factory Lead Time: | 7 weeks |
风险等级: | 1.44 | 其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, ULTRA LOW CAPACITANCE |
最大击穿电压: | 7.5 V | 最小击穿电压: | 5 V |
击穿电压标称值: | 6 V | 最大钳位电压: | 13 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PBCC-N2 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
极性: | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.25 W |
参考标准: | AEC-Q101; IEC-61000-4-2, 4-5 | 最大重复峰值反向电压: | 3.3 V |
子类别: | Transient Suppressors | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Nickel/Gold/Palladium (Ni/Au/Pd) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | BOTTOM |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
ESD7451N2T5G | ONSEMI |
功能相似 |
ESD Protection Diodes | |
ESD7551N2T5G | ONSEMI |
功能相似 |
ESD Protection Diodes |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SZESD7462MXWT5G | ONSEMI |
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超低电容 ESD 防护 | |
SZESD7462N2T5G | ONSEMI |
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超低电容 ESD 防护 | |
SZESD7481MUT5G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管,低电容,双向 | |
SZESD7551 | ONSEMI |
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ESD Protection Diodes | |
SZESD7551MXWT5G | ONSEMI |
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ESD 保护,微型封装二极管 | |
SZESD7551N2T5G | ONSEMI |
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ESD Protection Diodes | |
SZESD7561N2T5G | ONSEMI |
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Micro−Packaged Diodes for ESD Protection | |
SZESD7571MXWT5G | ONSEMI |
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微型封装二极管,用于 ESD 防护 | |
SZESD7571N2T5G | ONSEMI |
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微型封装二极管,用于 ESD 防护 | |
SZESD7951ST5G | ONSEMI |
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ESD Protection Diode, Low Leakage, Fast Response Time, with Clamping Capability |