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SZESD7462N2T5G

更新时间： 2023-06-19 14:31:44
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网二极管
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6页 127K
描述
超低电容 ESD 防护

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SZESD7462N2T5G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PBCC-N2Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：1.56
最大击穿电压：28 V最小击穿电压：16.5 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PBCC-N2
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.3 W
参考标准：AEC-Q101; IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5最大重复峰值反向电压：16 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SZESD7462N2T5G 数据手册

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ESD7462, SZESD7462  
Ultra-Low Capacitance ESD  
Protection  
Micro−Packaged Diodes for ESD Protection  
The ESD7462 is designed to protect voltage sensitive components  
that require ultra−low capacitance from ESD and transient voltage  
events. It has industry leading capacitance linearity over voltage  
making it ideal for RF applications. This capacitance linearity  
combined with the extremely small package and low insertion loss  
makes this part well suited for use in antenna line applications for  
wireless handsets and terminals.  
www.onsemi.com  
Features  
• Industry Leading Capacitance Linearity Over Voltage  
• Ultra−Low Capacitance: 0.3 pF Typ  
• Insertion Loss: 0.05 dB at 1 GHz; 0.10 dB at 3 GHz  
• Low Leakage: < 1 nA Typ  
MARKING  
DIAGRAM  
X2DFN2  
CASE 714AB  
4 M  
G
• Protection for the following IEC Standards:  
♦ IEC61000−4−2 (ESD): Level 4  
4
M
= Specific Device Code  
= Date Code  
♦ IEC61000−4−4 (EFT): 40 A −5/50 ns  
♦ IEC61000−4−5 (Lightning): 1 A (8/20 ms)  
• Protection for ISO 10605 (ESD)  
• SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
ESD7462N2T5G  
X2DFN2  
(Pb−Free)  
8000 / Tape &  
Reel  
Compliant  
SZESD7462N2T5G  
X2DFN2  
(Pb−Free)  
8000 / Tape &  
Reel  
Typical Applications  
• RF Signal ESD Protection  
• RF Switching, PA, and Antenna ESD Protection  
• Near Field Communications  
• USB 2.0, USB 3.0  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
IEC 61000−4−2 Contact (Note 1)  
IEC 61000−4−2 Air  
ISO 10605 Contact (330 pF / 330 W)  
ISO 10605 Contact (330 pF / 2 kW)  
ISO 10605 Contact (150 pF / 2 kW)  
ESD  
18  
18  
13  
29  
30  
kV  
Total Power Dissipation (Note 2) @ T = 25°C  
°P °  
300  
400  
mW  
°C/W  
A
D
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
Lead Solder Temperature − Maximum  
(10 Second Duration)  
T
L
260  
°C  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Non−repetitive current pulse at T = 25°C, per IEC61000−4−2 waveform.  
A
2. Mounted with recommended minimum pad size, DC board FR−4  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
January, 2017 − Rev. 1  
ESD7462/D  
 
123456

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