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ESD7551N2T5G

更新时间： 2024-01-11 04:17:01
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
5页 71K
描述
ESD Protection Diodes

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ESD7551N2T5G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PBCC-N2Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：1.55
其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, ULTRA LOW CAPACITANCE最大击穿电压：7.5 V
最小击穿电压：5 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PBCC-N2JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.25 W参考标准：IEC-61000-4-2, 4-5
最大重复峰值反向电压：3.3 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

ESD7551N2T5G 数据手册

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ESD7551, SZESD7551  
ESD Protection Diodes  
Micro−Packaged Diodes for ESD Protection  
The ESD7551 is designed to protect voltage sensitive components  
that require ultra−low capacitance from ESD and transient voltage  
events. Excellent clamping capability, low capacitance, low leakage,  
and fast response time, make these parts ideal for ESD protection on  
designs where board space is at a premium. Because of its low  
capacitance, the part is well suited for use in high frequency designs  
such as USB 2.0 high speed and antenna line applications.  
www.onsemi.com  
1
2
Cathode  
Anode  
Features  
• Ultra−Low Capacitance (0.35 pF Max)  
• Low Clamping Voltage  
• Stand−off Voltage: 3.3 V  
• Low Leakage  
MARKING  
DIAGRAM  
X2DFN2  
CASE 714AB  
E M  
G
• Response Time is < 1 ns  
• Low Dynamic Resistance < 1 W  
• Protection for the Following Standards:  
E
M
= Specific Device Code  
= Date Code  
IEC 61000−4−2 (Level 4) & ISO 10605  
• SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
ORDERING INFORMATION  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
†
Device  
Package  
Shipping  
Compliant  
ESD7551N2T5G  
X2DFN2  
(Pb−Free)  
8000 / Tape &  
Reel  
Typical Applications  
• RF Signal ESD Protection  
SZESD7551N2T5G X2DFN2  
(Pb−Free)  
8000 / Tape &  
Reel  
• RF Switching, PA, and Antenna ESD Protection  
• Near Field Communications  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Total Power Dissipation on FR−5 Board  
°P °  
250  
mW  
D
(Note 1) @ T = 25°C  
A
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
400  
−55 to +150  
260  
°C/W  
°C  
q
JA  
Junction and Storage Temperature Range T , T  
J
stg  
Lead Solder Temperature − Maximum  
(10 Second Duration)  
T
L
°C  
IEC 61000−4−2 Contact  
IEC 61000−4−2 Air  
ISO 10605 150 pF/2 kW  
ISO 10605 330 pF/2 kW  
ISO 10605 330 pF/330 W  
ESD  
25  
25  
30  
30  
20  
kV  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.62 in.  
See Application Note AND8308/D for further description of survivability specs.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
November, 2016 − Rev. 0  
ESD7551/D  
 
12345

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