Datasheet > SZESD7361XV2T1G

SZESD7361XV2T1G

更新时间： 2024-11-17 01:12:43

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		局域网测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	134K
描述
ESD Protection Diodes

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SZESD7361XV2T1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	4 weeks	风险等级：	1.15
其他特性：	ULTRA LOW CAPACITANCE	最小击穿电压：	16.5 V
最大钳位电压：	34 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	参考标准：	AEC-Q101; IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5
最大重复峰值反向电压：	16 V	最大反向电流：	1 µA
反向测试电压：	15 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

SZESD7361XV2T1G 数据手册

ESD7361, SZESD7361

ESD Protection Diodes

Low Capacitance ESD Protection Diode

for High Speed Data Line

The ESD7361 Series ESD protection diodes are designed to protect

high speed data lines from ESD. Ultra−low capacitance make this

device an ideal solution for protecting voltage sensitive high speed

data lines.

www.onsemi.com

MARKING

DIAGRAMS

Features

• Low Capacitance (0.55 pF Max, I/O to GND)

• Protection for the Following IEC Standards:

♦ IEC61000−4−2 (ESD): Level 4 15 kV Contact

♦ IEC61000−4−4 (EFT): 40 A −5/50 ns

♦ IEC61000−4−5 (Lightning): 1 A (8/20 ms)

• ISO 10605 (ESD) 330 pF/2 kW 15 kV Contact

• SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and

PPAP Capable

SOD−323

CASE 477

SOD−523

CASE 502

SOD−923

CASE 514AB

2 M

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

Typical Applications

X, XX = Specific Device Code

= Date Code

• Wireless Charger

• Near Field Communications

PIN CONFIGURATION

AND SCHEMATIC

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Symbol

Value

−55 to +125

−55 to +150

260

Unit

°C

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

stg

°C

Cathode

Anode

Lead Solder Temperature −

Maximum (10 Seconds)

°C

IEC 61000−4−2 Contact (ESD)

IEC 61000−4−2 Air (ESD)

ISO 10605 330 pF/2 kW Contact (ESD)

ESD

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 6 of

this data sheet.

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

Publication Order Number:

September, 2015 − Rev. 2

ESD7361/D

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

SZESD7361XV2T1G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ESD7361XV2T1G	ONSEMI	完全替代	ESD Protection Diodes

与SZESD7361XV2T1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SZESD7361XV2T5G	ONSEMI	获取价格	16V（Vz 最小值）低电容 ESD 保护二极管，用于高速数据线
SZESD7371HT1G	ONSEMI	获取价格	Ultra-Low Capacitance ESD Protection Diodes
SZESD7371P2T5G	ONSEMI	获取价格	Ultra-Low Capacitance ESD Protection Diodes
SZESD7371XV2T1G	ONSEMI	获取价格	Ultra-Low Capacitance ESD Protection Diodes
SZESD7371XV2T5G	ONSEMI	获取价格	低电容 ESD 防护
SZESD7410MXWT5G	ONSEMI	获取价格	超低电容 ESD 防护
SZESD7410N2T5G	ONSEMI	获取价格	超低电容 ESD 防护
SZESD7421N2T5G	ONSEMI	获取价格	ESD 保护二极管
SZESD7424MUT5G	ONSEMI	获取价格	30kV Capable Ultra-Low Capacitance 24V ESD Protection
SZESD7451N2T5G	ONSEMI	获取价格	Transient Voltage Suppressors low cap ESD protection in SOD-882, 8000-REEL

与SZESD7361XV2T1G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

14
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

7
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

36
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SZESD7361XV2T1G

SZESD7361XV2T1G 技术参数

SZESD7361XV2T1G 数据手册

SZESD7361XV2T1G 替代型号

与SZESD7361XV2T1G相关器件

与SZESD7361XV2T1G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SZESD7361XV2T1G

SZESD7361XV2T1G 技术参数

SZESD7361XV2T1G 数据手册

SZESD7361XV2T1G 替代型号

与SZESD7361XV2T1G相关器件

与SZESD7361XV2T1G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？