是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PBCC-N2 | Reach Compliance Code: | compliant |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 1.57 |
最大击穿电压: | 28 V | 最小击穿电压: | 24.3 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PBCC-N2 |
JESD-609代码: | e4 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.3 W |
参考标准: | AEC-Q101; IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5 | 最大重复峰值反向电压: | 24 V |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SZESD7272LT1G | ONSEMI |
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ESD 保护二极管,低电容,双沟道 | |
SZESD7351HT1G | ONSEMI |
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Transient Voltage Suppressors | |
SZESD7351P2T5G | ONSEMI |
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Transient Voltage Suppressors | |
SZESD7351XV2T1G | ONSEMI |
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Transient Voltage Suppressors | |
SZESD7351XV2T5G | ONSEMI |
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ESD Protection Diode | |
SZESD7361HT1G | ONSEMI |
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ESD Protection Diodes | |
SZESD7361P2T5G | ONSEMI |
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ESD Protection Diodes | |
SZESD7361XV2T1G | ONSEMI |
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ESD Protection Diodes | |
SZESD7361XV2T5G | ONSEMI |
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16V(Vz 最小值)低电容 ESD 保护二极管,用于高速数据线 | |
SZESD7371HT1G | ONSEMI |
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Ultra-Low Capacitance ESD Protection Diodes |