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STW56N65M2

更新时间: 2023-12-20 18:44:20
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
12页 724K
描述
N沟道650 V、0.049 Ohm典型值、49 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-247封装

STW56N65M2 数据手册

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Electrical characteristics  
STW56N65M2  
2.1  
Electrical characteristics (curves)  
Figure 2. Safe operating area  
Figure 3. Thermal impedance  
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ꢀꢅ—V  
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ꢀꢅꢅ—V  
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Figure 4. Output characteristics  
Figure 5. Transfer characteristics  
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9*6 ꢋꢇꢌꢋꢍꢌꢋꢎꢌꢋꢀꢅꢋ9  
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9*6ꢃ9ꢄ  
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Figure 6. Normalized gate threshold voltage vs. Figure 7. Normalized V(BR)DSS vs. temperature  
temperature  
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GIPD180920141442FSR  
9ꢃ%5ꢄ'66  
V
GS(th)  
(norm)  
ꢃQRUPꢄ  
ID = 250 µA  
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ꢀꢊꢅꢆ  
ꢀꢊꢅꢅ  
1.1  
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1.0  
0.9  
0.8  
ꢅꢊꢎꢈ  
ꢅꢊꢎꢁ  
ꢅꢊꢍꢍ  
0.7  
0.6  
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ꢏꢁꢉ  
ꢁꢉ  
ꢇꢉ  
ꢀꢁꢉ  
7Mꢃƒ&ꢄ  
-75  
-25  
25  
75  
125  
Tj(°C)  
6/12  
DocID027285 Rev 1  

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