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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | MAX220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.87 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1300 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 36 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 36 A | 最大漏源导通电阻： | 0.065 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 144 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STU3LN80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、2.75 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，IP |
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| STU3N45K3 | STATEK |
获取价格 |
N-channel 450 V - 3.3 Ω typ., 1.8 A Zener-pr |
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| STU3N62K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 620 V, 2.2 OHM , 2.7 A SuperMESH3 Power MOSFET D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, IP |
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| STU3N65M6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、1.4 Ohm典型值、3.5 A MDmesh M6功率MOSFET，I |
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| STU402D | SAMHOP |
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Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor |
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| STU404D | SAMHOP |
获取价格 |
Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) |
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| STU404DF | SAMHOP |
获取价格 |
Transistor |
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| STU405D | SAMHOP |
获取价格 |
Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) |
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| STU405DH | SAMHOP |
获取价格 |
Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel) |
|
| STU407D | SAMHOP |
获取价格 |
Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel) |
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