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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-251AA | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 2.28 | 雪崩能效等级（Eas）： | 170 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.85 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.85 A |
| 最大漏源导通电阻： | 8.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 7.4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP2NK100Z | STMICROELECTRONICS |
完全替代  |
N-channel 1000 V, 6.25 Ω, 1.85 A, TO-220, DPA |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STU302S | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor |
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| STU3030NL | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| STU3030NLS | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| STU3055L | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel Logic Level E nhancement Mode F ield E ffect Transistor |
|
| STU3055L2 | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| STU3055L2-60 | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| STU3055NL | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| STU309D | SAMHOP |
获取价格 |
Dual E nhancement Mode F ield E ffect Transistor ( N and P Channel) |
|
| STU312D | SAMHOP |
获取价格 |
Dual E nhancement Mode F ield E ffect Transistor ( N and P Channel) |
|
| STU313D | SAMHOP |
获取价格 |
Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) |
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