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STP50NE10

更新时间： 2024-09-28 22:50:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页 88K
描述
N - CHANNEL 100V - 0.021ohm - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET

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STP50NE10 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：300 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.027 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP50NE10 数据手册

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STP50NE10  
N - CHANNEL 100V - 0.021Ω - 50A TO-220  
STripFET POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP50NE10  
100 V  
<0.027 Ω  
50 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.021 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE AT 100 oC  
APPLICATIONORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
2
1
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest developmentof  
STMicroelectronics unique ”Single Feature  
TO-220  
Size ” strip-based  
process. The resulting  
transistor shows extremely high packing density  
for low on-resistance, rugged avalanche  
characteristics and less critical alignment steps  
therefore  
reproducibility.  
a
remarkable  
manufacturing  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
100  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
100  
± 20  
50  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
A
ID  
35  
A
I
DM(• )  
200  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
150  
W
Derating Factor  
1
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope  
6
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 175  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
175  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
( ) ISD ≤ 50 A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1
1/8  
April 1999  
12345678

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STP50NE10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP120NF10 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STP80NF10 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220

与STP50NE10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP50NE10L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET
STP50NF25 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 250V - 0.055ヘ - 45A - D2PAK - TO-22
STP51 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | TO-218AA
STP5110AUPA-167 ETC

获取价格

 		64-Bit Microprocessor
STP5111AUPA-200 ETC

获取价格

 		64-Bit Microprocessor
STP52 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-218AA
STP5-2 PHOENIX

获取价格

 		Terminal Block Accessory
STP5211UPA-250 ETC

获取价格

 		64-Bit Microprocessor
STP5212UPA-300 ETC

获取价格

 		64-Bit Microprocessor
STP52N25M5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 250 V, 0.055 Ω, 28 A, TO-220 MDmes

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