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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | 雪崩能效等级（Eas）： | 520 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 55 A | 最大漏源导通电阻： | 0.023 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 350 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 220 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大开启时间（吨）： | 550 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP55N06FI | STMICROELECTRONICS |
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30A, 60V, 0.023ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| STP55N06L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP55N06LFI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP55NE06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
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| STP55NE06FP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
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| STP55NE06L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
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| STP55NE06LFP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
|
| STP55NF03L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30V - 0.01 ohm - 55A TO-220/D2PAK/I |
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| STP55NF06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220 |
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| STP55NF06FP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220 |
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