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STP55NE06FP

更新时间： 2024-11-22 22:18:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 122K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

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STP55NE06FP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220FP, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.11
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：35 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP55NE06FP 数据手册

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STP55NE06  
STP55NE06FP  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP55NE06  
STP55NE06FP  
60 V  
60 V  
< 0.022 Ω  
< 0.022 Ω  
55 A  
30 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.019 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE 100 oC  
HIGH dv/dt CAPABILITY  
3
3
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
2
2
1
1
DESCRIPTION  
TO-220  
TO-220FP  
This Power Mosfet is the latest development of  
SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size”  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalance characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturingreproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
DC MOTOR CONTROL  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
SYNCHRONOUS RECTIFICATION  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STP55NE06 STP55NE06FP  
Unit  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
60  
60  
V
V
± 20  
V
55  
39  
30  
21  
A
ID  
A
I
DM(• )  
220  
130  
0.96  
220  
35  
A
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
W
W/oC  
Derating Factor  
0.27  
2000  
VISO  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
V
dv/dt  
Tstg  
Tj  
7
V/ns  
oC  
oC  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 55 A,di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, T ≤ TJMAX  
j
1/9  
January 1998  
1234567...9

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