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STP5N120

更新时间： 2024-01-06 05:54:49
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 187K
描述
N-channel 1200V - 2.8ヘ - 4.4A - TO-220 Zener - protected SuperMESHTM Power MOSFET

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STP5N120 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：400 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：1200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.4 A
最大漏极电流 (ID)：4.7 A最大漏源导通电阻：3.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18.8 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP5N120 数据手册

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STP5N120  
N-channel 1200V - 2.8Ω - 4.4A - TO-220  
Zener - protected SuperMESH™ Power MOSFET  
TARGET SPECIFICATION  
Features  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
PW  
STP5N120  
1200V  
< 3.5 Ω  
4.4A  
160W  
■ 100% avalanche tested  
■ Extremely high dv/dt capability  
■ ESD improved capability  
■ New high voltage benchmark  
■ Gate charge minimized  
3
2
1
TO-220  
Description  
The SuperMESH™ series is obtained through an  
extreme optimization of ST’s well established  
strip-based PowerMESH™ layout. In addition to  
pushing on-resistance significantly down, special  
care is taken to ensure a very good dv/dt  
capability for the most demanding applications.  
Such series complements ST full range of high  
voltage Power MOSFETs.  
Internal schematic diagram  
Application  
■ Switching application  
Order code  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STP5N120  
5N120  
TO-220  
Tube  
May 2007  
Rev 1  
1/10  
This is preliminary information on a new product foreseen to be developed. Details are subject to change without notice.  
www.st.com  
10  
1234567...10

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