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STP55NF03L

更新时间： 2024-11-22 22:18:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 88K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.01 ohm - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STP55NF03L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：55 A
最大漏极电流 (ID)：55 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP55NF03L 数据手册

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STP55NF03L  
N-CHANNEL 30V - 0.01Ω - 55A TO-220  
STripFET POWER MOSFET  
V
R
DS(on)  
I
TYPE  
DSS  
D
STP55NF03L  
30 V  
<0.013 Ω  
55 A  
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.01 Ω  
OPTIMIMIZED FOR HIGH SWITCHING  
OPERATIONS  
■
■
LOW GATE CHARGE  
LOGIC LEVEL GATE DRIVE  
3
2
1
DESCRIPTION  
TO-220  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique “Single Feature  
Size ” strip-based process. The resulting transis-  
tor shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalanche characteristics  
and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturing reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
LOW VOLTAGE DC-DC CONVERTERS  
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
HIGH EFFICIENCY SWITCHING CIRCUITS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
30  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
±15  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
55  
A
D
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
39  
A
C
I
(•)  
DM  
Drain Current (pulsed)  
220  
A
P
Total Dissipation at T = 25°C  
80  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.53  
–60 to 175  
175  
W/°C  
°C  
°C  
T
stg  
Storage Temperature  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area.  
February 2001  
1/8  
12345678

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