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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.25 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 270 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 85 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大开启时间（吨）： | 170 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP5N95K3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 950 V, 3 ohm typ, 4 A Zener-protected SuperMESH3 |
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| STP5N95K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道950 V、2 Ohm典型值、3.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO- |
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| STP5NA50 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP5NA50 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| STP5NA50FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP5NA60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STP5NA60FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP5NA80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP5NA80 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| STP5NA80FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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