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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.63 |
| 其他特性： | FREDFET | 雪崩能效等级（Eas）： | 340 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 65 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 100 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大开启时间（吨）： | 110 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP5N50FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR |
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| STP5N52K3 | ETC |
获取价格 |
N-channel 525 V, 1.2 Ω, 4.4 A SuperMESH3⢠|
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| STP5N60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-Channel enhancement mode power mos transistor |
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| STP5N60FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-Channel enhancement mode power mos transistor |
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| STP5N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、1.3 Ohm典型值、3.5 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
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| STP5N62K3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 620 V, 1.28 ohm, 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFET |
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| STP5N80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
|
| STP5N80FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
|
| STP5N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、1.50 Ohm典型值、4 A MDmesh K5功率MOSFET，TO |
|
| STP5N80XI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | SOT-186VAR |
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