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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.66 | 雪崩能效等级（Eas）： | 520 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.023 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 350 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 220 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大开启时间（吨）： | 550 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP55N06L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP55N06LFI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP55NE06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
|
| STP55NE06FP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
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| STP55NE06L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
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| STP55NE06LFP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
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| STP55NF03L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30V - 0.01 ohm - 55A TO-220/D2PAK/I |
|
| STP55NF06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220 |
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| STP55NF06FP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220 |
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| STP55NF06L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PA |
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