STP55N06L

更新时间： 2024-01-08 05:58:34

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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7页	213K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

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STP55N06L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.28
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, LOW THRESHOLD
雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.023 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	220 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STP55N06LFI	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STP55NE06	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STP55NE06FP	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STP55NE06L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STP55NE06LFP	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STP55NF03L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 30V - 0.01 ohm - 55A TO-220/D2PAK/I
STP55NF06	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
STP55NF06FP	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
STP55NF06L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PA
STP55NF06L_06	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 60V - 0.014ヘ - 55A TO-220/D2PAK/I2P