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STP55N05LFI

更新时间: 2024-02-24 02:28:25
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 341K
描述
30A, 50V, 0.023ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ISOWATT220, 3 PIN

STP55N05LFI 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.28
Is Samacsys:N其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):500 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):30 A最大漏极电流 (ID):30 A
最大漏源导通电阻:0.023 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):220 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STP55N05LFI 数据手册

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