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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220-3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 400 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP50NF25 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 250V - 0.055ヘ - 45A - D2PAK - TO-22 |
|
| STP51 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | TO-218AA |
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| STP5110AUPA-167 | ETC |
获取价格 |
64-Bit Microprocessor |
|
| STP5111AUPA-200 | ETC |
获取价格 |
64-Bit Microprocessor |
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| STP52 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-218AA |
|
| STP5-2 | PHOENIX |
获取价格 |
Terminal Block Accessory |
|
| STP5211UPA-250 | ETC |
获取价格 |
64-Bit Microprocessor |
|
| STP5212UPA-300 | ETC |
获取价格 |
64-Bit Microprocessor |
|
| STP52N25M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 250 V, 0.055 Ω, 28 A, TO-220 MDmes |
|
| STP53 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-218AA |
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