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STP50NF25

更新时间： 2024-09-29 04:01:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极
页数 文件大小 规格书
14页 342K
描述
N-channel 250V - 0.055ヘ - 45A - D2PAK - TO-220 low gate charge STripFET⑩ Power MOSFET

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STP50NF25 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.71雪崩能效等级（Eas）：160 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A最大漏极电流 (ID)：45 A
最大漏源导通电阻：0.069 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP50NF25 数据手册

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STB50NF25  
STP50NF25  
N-channel 250V - 0.055Ω - 45A - D2PAK - TO-220  
low gate charge STripFET™ Power MOSFET  
Features  
RDS(on)  
Max  
Type  
VDSS  
ID  
PW  
STP50NF25  
STB50NF25  
250 V  
250 V  
<0.069 Ω 45 A 160 W  
<0.069 Ω 45 A 160 W  
3
3
1
■ 100% avalanche tested  
■ Gate charge minimized  
■ Low intrinsic capacitances  
2
1
TO-220  
D²PAK  
Application  
Switching applications  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Description  
This Power MOSFET series realized with  
STMicroelectronics unique STripFET™ process  
has specifically been designed to minimize on-  
resistance and gate charge. It is therefore suitable  
as primary side switch allowing high efficiencies.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
TO-220  
D²PAK  
Packaging  
STP50NF25  
STB50NF25  
50NF25  
50NF25  
Tube  
Tape & reel  
November 2007  
Rev 4  
1/14  
www.st.com  
14  
1234567...14

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