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STP53N08

更新时间： 2024-02-28 18:13:15
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 79K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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STP53N08 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.72Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：600 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：53 A
最大漏极电流 (ID)：53 A最大漏源导通电阻：0.024 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：212 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP53N08 数据手册

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STP53N08  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
< 0.024 Ω  
ID  
STP53N08  
80 V  
53 A  
■
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.018 Ω  
AVALANCE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW GATE CHARGE  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
175 oC OPERATING TEMPERATURE  
APPLICATION ORIENTED  
3
2
1
CHARACTERIZATION  
TO-220  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
REGULATORS  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
80  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
80  
± 20  
53  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
37  
A
I
DM(•)  
Drain Current (pulsed)  
212  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
150  
W
Derating Factor  
1
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/5  
March 1996  
12345

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