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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 600 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 53 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 53 A | 最大漏源导通电阻： | 0.024 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 212 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP54 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | TO-218AA |
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| STP55 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | TO-220AB |
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| STP5508 | SEME-LAB |
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HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| STP55N05L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
55A, 50V, 0.023ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| STP55N05LFI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
30A, 50V, 0.023ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ISOWATT220, 3 PIN |
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| STP55N06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
55A, 60V, 0.023ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| STP55N06FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
30A, 60V, 0.023ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| STP55N06L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP55N06LFI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STP55NE06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
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