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STP53N06

更新时间: 2024-01-16 18:39:53
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 319K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 53A I(D) | TO-220

STP53N06 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:T220-3Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.74配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):53 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
Base Number Matches:1

STP53N06 数据手册

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