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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 12页 | 480K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 250 V, 0.055 Ω, 28 A, TO-220 MDmeshTM V Power MOSFET | ||
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 | 其他特性： | ULTRA LOW-ON RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 230 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (ID)： | 28 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.065 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 112 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDPF51N25YDTU | FAIRCHILD |
功能相似  |
N-Channel UniFETTM MOSFET 250V, 51A, 60mΩ, TO220, MOLDED, 3LD, FULL PACK, EIAJ S |
|
| FDP33N25 | FAIRCHILD |
功能相似 |
250V N-Channel MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP53 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-218AA |
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| STP5-3 | PHOENIX |
获取价格 |
Terminal Block Accessory |
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| STP53N05 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 53A I(D) | TO-220 |
|
| STP53N06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 53A I(D) | TO-220 |
|
| STP53N08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP54 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | TO-218AA |
|
| STP55 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | TO-220AB |
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| STP5508 | SEME-LAB |
获取价格 |
HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| STP55N05L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
55A, 50V, 0.023ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
|
| STP55N05LFI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
30A, 50V, 0.023ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ISOWATT220, 3 PIN |
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