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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 525 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0049 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP4N62K3 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-channel 620 V, 1.7 Ω typ., 3.8 A SuperMESH |
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| STF4N62K3 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 620 V, 1.7 Ω typ., 3.8 A SuperMESH |
|
| STH180N10F3-2 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 100 V, 3.9 milliohm, 180 A, H2PAK-2 STripFET III Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP150NF04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道40 V、0.005 Ohm、80 A STripFET(TM) II功率MOSFE |
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| STP150NF55 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 55V - 0.005 ohm -120A DPAK/TO-220/ |
|
| STP155N75F4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
120A, 75V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PI |
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| STP15N05L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP15N05LFI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STP15N06L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STP15N06LFI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP15N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.340 Ohm典型值、11 A MDmesh M2 EP功率MOSF |
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| STP15N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.308 Ω typ., 11 A MDmeshâ |
|
| STP15N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，TO |
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