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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 350 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STF11NM60ND | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-channel 600 V, 0.37 Ω, 10 A, FDmesh™ II Pow |
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| STFI11NM65N | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmeshâ |
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| SPA11N60CFD | INFINEON |
功能相似 |
CoolMOS Power Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP11NM60FP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D |
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| STP11NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFE |
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| STP11NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 0.37Ω - 10A - FDmesh™ II Pow |
|
| STP11NM60Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
11A, 600V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
|
| STP11NM60ZFP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
11A, 600V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PI |
|
| STP11NM65N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmeshâ |
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| STP11NM80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET |
|
| STP11NM80_10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 800 V, 0.35 Ω, 11 A MDmesh™ Power M |
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| STP-1200-2115 | BEL |
获取价格 |
Power in the Round 100 VA to 2000 VA |
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| STP120N4F6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道40 V、3.8 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGAT |
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