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STP11NM80

更新时间： 2024-11-22 22:10:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
14页 584K
描述
N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET

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STP11NM80 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：1.67Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：180295
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：Transistor Outline, VerticalSamacsys Footprint Name：TO-220 TYPE A
Samacsys Released Date：2015-07-22 14:47:13Is Samacsys：N
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：400 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：205 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP11NM80 数据手册

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STP11NM80 - STF11NM80  
STB11NM80 - STW11NM80  
N-CHANNEL 800V - 0.35 Ω - 11 A TO-220 /FP/D2PAK/TO-247  
MDmesh™ MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1: Package  
TYPE  
V
R
R
*Q  
I
D
DSS  
DS(on)  
DS(on)  
g
STP11NM80 800 V < 0.40 Ω  
STF11NM80 800 V < 0.40 Ω  
STB11NM80 800 V < 0.40 Ω  
STW11NM80 800 V < 0.40 Ω  
14 Ω nC  
14 Ω nC  
14 Ω nC  
14 Ω nC  
11 A  
11 A  
11 A  
11 A  
3
3
2
1
2
1
TO-220  
TO-220FP  
■ TYPICAL R (on) = 0.35 Ω  
DS  
■ LOW GATE INPUT RESISTANCE  
■ LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
CHARGE  
■ BEST R (on)*Qg IN THE INDUSTRY  
DS  
3
1
3
2
1
2
DESCRIPTION  
D PAK  
TO-247  
The MDmesh™ associates the Multiple Drain pro-  
cess with the Company’s PowerMesh™ horizontal  
layout assuring an oustanding low on-resistance.  
The adoption of the Company’s proprietary strip  
technique yields overall dynamic performance that  
is significantly better than that of similar competi-  
tion’s products.  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
APPLICATIONS  
The 800 V MDmesh™ family is very suitable for  
single switch applications in particular for Flyback  
and Forward converter topologies and for ignition  
circuits in the field of lighting.  
Table 2: Order Codes  
SALES TYPE  
STP11NM80  
STF11NM80  
MARKING  
P11NM80  
F11NM80  
B11NM80  
W11NM80  
PACKAGE  
TO-220  
PACKAGING  
TUBE  
TO-220FP  
TUBE  
2
STB11NM80T4  
TAPE & REEL  
TUBE  
D PAK  
STW11NM80  
TO-247  
Rev. 2  
October 2005  
1/14  
1234567...14

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STP11NM80 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STF11NM80 STMICROELECTRONICS

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