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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 14页 | 304K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 40V - 0.0047ohm - 120A TO-220 STripFET II MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1200 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 120 A | 最大漏源导通电阻： | 0.005 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPP120N04S302AKSA1 | INFINEON |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP120NF04_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40V - 0.0047ohm - 120A TO-220 STripFET II MOSFET |
|
| STP120NF10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET |
|
| STP120NH03L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30V - 0.005ohm - 60A - TO-220 / D2PAK / I2PAK STripFET Power MOSFET for DC-DC co |
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| STP12A60 | SEMIWELL |
获取价格 |
Bi-Directional Triode Thyristor |
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| STP12A80 | SEMIWELL |
获取价格 |
Bi-Directional Triode Thyristor |
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| STP12IE90F4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 900 V - 12A - 0.083 ohm |
|
| STP12IE95F4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 950 V - 12A - 0.083 ohm |
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| STP12N120K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET， |
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| STP12N50M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道500 V、0.325 Ohm典型值、10 A MDmesh M2功率MOSFET， |
|
| STP12N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.395 Ohm典型值、9 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
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