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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 19页 | 753K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 600 V, 0.37 Ω, 10 A, FDmesh™ II Power MOSFET I2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 2.27 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 90 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP11NM60FDFP | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STF11NM65N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmeshâ |
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| STF11NM80 | STMICROELECTRONICS |
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| STF-120HV | PREMO |
获取价格 |
Three Phase+Neutral Filters For Solar Technology Applications |
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| STF12A60 | WINSEMI |
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| STF12A60 | SEMIWELL |
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Bi-Directional Triode Thyristor |
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| STF12A80 | SEMIWELL |
获取价格 |
Bi-Directional Triode Thyristor |
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| STF12N120K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET， |
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| STF12N50DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道500 V、0.299 Ohm典型值、11 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STF12N50M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道500 V、0.325 Ohm典型值、10 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STF12N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.395 Ohm典型值、9 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
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