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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 350 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STF12NM50ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500V, 0.29 OHM, 11A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO |
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| STF12NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO- |
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| STF12PF06 | STMICROELECTRONICS |
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P-CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 12A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET |
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| STF130N10F3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100 V, 7.8 mΩ typ., 120 A STripFET |
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| STF13N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.310 Ohm典型值、11 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STF13N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.35 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
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| STF13N60M2(045Y) | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.35 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
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| STF13N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.37 Ohm典型值、10 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
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| STF13N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、0.37 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，T |
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| STF13N95K3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 950 V, 0.68 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH3 |
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