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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STF12PF06
STF12PF06 PDF预览

STF12PF06

更新时间： 2024-09-27 22:21:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 265K
描述
P-CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 12A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET

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STF12PF06 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220FP, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：225 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STF12PF06 数据手册

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STP12PF06  
STF12PF06  
P-CHANNEL 60V - 0.18 Ω - 12A TO-220/TO-220FP  
STripFET™ II POWER MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1:Package  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STP12PF06  
STF12PF06  
60 V  
60 V  
< 0.20 Ω  
< 0.20 Ω  
12 A  
12 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.18 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE  
3
3
2
2
1
1
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
TO-220  
TO-220FP  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
less critical alignment steps therefore  
remarkable manufacturing reproducibility  
a
APPLICATIONS  
■
MOTOR CONTROL  
■
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
Table 2: Order Codes  
PART NUMBER  
STP12PF06  
MARKING  
P12PF06  
F12PF06  
PACKAGE  
TO-220  
TO-220FP  
PACKAGING  
TUBE  
STF12PF06  
TUBE  
Table 3: ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP20PF06  
STF20PF06  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
60  
60  
V
V
DS  
GS  
V
DGR  
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
V
GS  
I
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
12  
8.4  
48  
8
5.6  
32  
A
A
A
D
C
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
Derating Factor  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
60  
0.4  
225  
0.17  
W
tot  
C
W/°C  
V/ns  
mJ  
(1)  
6
200  
dv/dt  
(2)  
E
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
NOTE:For the P-CHANNEL MOSFET actual polarity of voltages  
and current has to be reversed.  
(1) I ≤12A, di/dt ≤200A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX  
SD  
DD  
o
(2) Starting T = 25 C, I = 12A, V = 25V  
j
D
DD  
Rev. 2.0  
March 2005  
1/10  
1234567...10

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STF12PF06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQPF11P06 FAIRCHILD

功能相似

 60V P-Channel MOSFET
SFS9Z34 FAIRCHILD

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FQPF17P06 FAIRCHILD

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 60V P-Channel MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STF130N10F3 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100 V, 7.8 mΩ typ., 120 A STripFET
STF13N60DM2 STMICROELECTRONICS

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STF13N60M2 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、0.35 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET，T
STF13N60M2(045Y) STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、0.35 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET，T
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