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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 15页 | 519K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 500 V, 0.40 Ω, 11 A TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 1.72 | 雪崩能效等级（Eas）： | 240 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.48 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STF13NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 500V - 0.250ヘ - 12A - TO-220/FP - T |
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| STF13NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.28 Ω typ., 11 A MDmesh⢠|
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| STF13NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.32 Ohm typ., 11 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-22 |
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| STF140N10F4 | STMICROELECTRONICS |
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50A, 100V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 |
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| STF140N6F7 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道60 V、0.0031 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFE |
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| STF14N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、0.400 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET， |
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| STF14NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 500 V, 0.28 Ω typ., 12 A MDmesh⢠|
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| STF14NM65N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Powe |
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| STF15120 | SMC |
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SCHOTTKY RECTIFIER |
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| STF15120C | SMC |
获取价格 |
SCHOTTKY RECTIFIER |
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