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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.52 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STF16N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.28 Ohm典型值、12 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
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| STF16N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.29 Ohm典型值、12 A MDmesh M6功率MOSFET，T |
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| STF16N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.32 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
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| STF16N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.230 Ohm典型值、12 A MDmesh M5功率MOSFET， |
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| STF16N90K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道900 V、280 mOhm典型值、15 A MDmesh K5功率MOSFET，T |
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| STF16NF25 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 250V - 0.195ヘ - 13A - DPAK/TO-220/T |
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| STF16NK60Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 038 Ω, 14 A, TO-220, TO-220F |
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| STF16NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Po |
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| STF17N25 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
17A, 250V, 0.165ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, FULL PACK-3 |
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| STF17N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、0.29 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，T |
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