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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 19页 | 601K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.79 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.299 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPA60R280C6 | INFINEON |
功能相似  |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| FCPF9N60NT | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385Ω |
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| SPA15N60C3 | INFINEON |
功能相似 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STF15NM65N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO-220/FP - |
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| STF-160HV | PREMO |
获取价格 |
Three Phase+Neutral Filters For Solar Technology Applications |
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| STF16360EN | ETC |
获取价格 |
STF16360EN是一种静态VFD驱动电路，带有36个高压驱动端口，可直接驱动静态VFD |
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| STF16A60 | SEMIWELL |
获取价格 |
Bi-Directional Triode Thyristor |
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| STF16A60H | WINSEMI |
获取价格 |
Bi-Directional Triode Thyristor |
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| STF16A80 | SEMIWELL |
获取价格 |
Bi-Directional Triode Thyristor |
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| STF16N50M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道500 V、0.24 Ohm典型值、13 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
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| STF16N50U | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 500 V, 0.47 Ohm, 15 A UltraFAST MESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP package |
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| STF16N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.28 Ohm典型值、12 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
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| STF16N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.29 Ohm典型值、12 A MDmesh M6功率MOSFET，T |
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