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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 23页 | 1203K |  |
| 描述 | ||
| N沟道800 V、0.37 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP封装 | ||
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 17 weeks | 风险等级： | 1.51 |
| Samacsys Description： | NULL | 雪崩能效等级（Eas）： | 148 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STF13N95K3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 950 V, 0.68 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH3 |
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| STF13NK50Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 500 V, 0.40 Ω, 11 A TO-220, TO-220F |
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| STF13NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 500V - 0.250ヘ - 12A - TO-220/FP - T |
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| STF13NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.28 Ω typ., 11 A MDmesh⢠|
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| STF13NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.32 Ohm typ., 11 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-22 |
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| STF140N10F4 | STMICROELECTRONICS |
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50A, 100V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 |
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| STF140N6F7 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道60 V、0.0031 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFE |
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| STF14N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、0.400 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET， |
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| STF14NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 500 V, 0.28 Ω typ., 12 A MDmesh⢠|
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| STF14NM65N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Powe |
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