是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 16 weeks |
风险等级: | 5.72 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 650 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 12 A | 最大漏极电流 (ID): | 12 A |
最大漏源导通电阻: | 0.38 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 48 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STF14NM65N | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Powe |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STF11NM80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET | |
STF-120HV | PREMO |
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Three Phase+Neutral Filters For Solar Technology Applications | |
STF12A60 | WINSEMI |
获取价格 |
Bi-Directional Triode Thyristor | |
STF12A60 | SEMIWELL |
获取价格 |
Bi-Directional Triode Thyristor | |
STF12A80 | SEMIWELL |
获取价格 |
Bi-Directional Triode Thyristor | |
STF12N120K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET, | |
STF12N50DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道500 V、0.299 Ohm典型值、11 A MDmesh DM2功率MOSFET | |
STF12N50M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道500 V、0.325 Ohm典型值、10 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STF12N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.395 Ohm典型值、9 A MDmesh M2功率MOSFET,T | |
STF12N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.42 Ohm典型值、8 A MDmesh M2功率MOSFET,TO |