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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 16 weeks |
| 风险等级： | 1.68 | Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 222375 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | Transistor |
| Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical | Samacsys Footprint Name： | TO-220 (dual gauge) |
| Samacsys Released Date： | 2015-07-28 07:07:04 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP10NM60N | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-channel 600 V, 0.53 ohm, 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK MDmesh II Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP11NM60Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
11A, 600V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
|
| STP11NM60ZFP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
11A, 600V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PI |
|
| STP11NM65N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmeshâ |
|
| STP11NM80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET |
|
| STP11NM80_10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 800 V, 0.35 Ω, 11 A MDmesh™ Power M |
|
| STP-1200-2115 | BEL |
获取价格 |
Power in the Round 100 VA to 2000 VA |
|
| STP120N4F6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道40 V、3.8 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGAT |
|
| STP120NF04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40V - 0.0047ohm - 120A TO-220 STripFET II MOSFET |
|
| STP120NF04_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40V - 0.0047ohm - 120A TO-220 STripFET II MOSFET |
|
| STP120NF10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET |
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