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STN2NF10

更新时间： 2024-02-18 13:24:24
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 261K
描述
N-CHANNEL 100V - 0.23ohm - 2A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STN2NF10 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SOT-223包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.68
雪崩能效等级（Eas）：300 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.26 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STN2NF10 数据手册

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STN2NF10  
N-CHANNEL 100V - 0.23Ω - 2A SOT-223  
STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STN2NF10  
100 V  
< 0.26 Ω  
2 A  
2
■
TYPICAL R (on) = 0.23 Ω  
DS  
DESCRIPTION  
3
2
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturing reproducibility.  
1
SOT-223  
APPLICATIONS  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
■
■
■
DC-DC & DC-AC COVERTERS  
DC MOTOR CONTROL (DISK DRIVERS, etc.)  
SYNCHRONOUS RECTIFICATION  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
100  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
100  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
2
V
GS  
I (•)  
D
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
1.26  
8
A
D
C
I
(••)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
2.5  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.02  
300  
W/°C  
mJ  
°C  
°C  
E
AS  
(1)  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
T
stg  
-65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(••) Pulse width limited by safe operating area.  
(•) Current limited by the package  
(1) I ≤1A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX  
SD  
DD  
December 2001  
1/8  
.
12345678

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STN2NF10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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