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STN2NF10 (KTN2NF10)

更新时间： 2024-06-27 12:11:45

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N-Channel MOSFET

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SMD Type

MOSFET

N-Channel MOSFET

STN2NF10 (KTN2NF10)

Unit:mm

SOT-223

6.50±0.2

3.00±0.1

■ Features

● VDS (V) = 100V

● ID = 2.4 A (VGS = 10V)

● R^DS(ON)＜ 260mΩ (VGS = 10V)

0.250

2.30 (typ)

Gauge Plane

1.Gate

2.Drain

3.Source

4.Drain

0.70±0.1

4.60 (typ)

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

100

±20

2.4

Unit

Gate-Source Voltage

Tc=25℃

Continuous Drain Current

1.5

Tc=100℃

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

3.3

Tc=25℃

Single pulse avalanche energy

Peak diode recovery voltage slope

(Note.1)

(Note.2)

200

dv/dt

V/ns

t < 10sec

t > 10sec

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

RthJA

℃/W

62.5

150

Junction Temperature

℃

Storage Temperature Range

stg

-55 to 150

Note.1: IAS = 2.4A, VDD = 30V, Rg=4.7Ω, starting Tj = 25°C

Note.2: I^SD< 6A, di/dt < 500A/μs, VDD= 80% V(BR)DSS

www.kexin.com.cn

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