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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.89 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 14 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 670 ns | 标称接通时间 (ton)： | 19 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGP7NC60H | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT |
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| STGP7NC60HD | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT |
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| STGP7NC60KD | STMICROELECTRONICS |
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25A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| STGP8M120DF3 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、8 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT，TO-220封装 |
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| STGP8NC60K | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT |
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| STGP8NC60KD | STMICROELECTRONICS |
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600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT |
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| STGPL6NC60D | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Hyper fast IGBT |
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| STGSB200M65DF2AG | STMICROELECTRONICS |
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Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A low-loss M series IGBT in an ACEPACK |
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| STGSH80HB65DAG | STMICROELECTRONICS |
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Automotive-grade ACEPACK SMIT half-bridge topology 650 V, 80 A HB series IGBT with diode |
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| STGST200G65DFAG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Automotive-grade trench gate field-stop IGBT 650 V, 200 A in a STPAK package |
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