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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.91 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 24 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 120 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 295 ns | 标称接通时间 (ton)： | 51 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGW12NB60HD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
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| STGW15H120DF2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1200 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT |
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| STGW15H120F2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1200 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT |
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| STGW15M120DF3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1200 V、15 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT |
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| STGW19NC60H | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
19 A - 600 V - very fast IGBT |
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| STGW19NC60HD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
19 A - 600 V - very fast IGBT |
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| STGW19NC60W | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Ultra fast "W" series |
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| STGW19NC60WD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 19A - TO-220 - TO-247 Ultra |
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| STGW20H60DF | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT |
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| STGW20H65FB | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
650 V、20 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT |
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